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从本文开始进入新篇章“噪声对策”。这里所说的“噪声对策”是指针对“开关电源”噪声的对策。不过基础部分和思路与一般噪声是相通的。新篇章的第1篇将介绍“噪声对策的步骤”。噪声对策和产品开发阶段在介绍噪声对策步骤之前,先来了解一下从产品的设计/开发到量产的过程中,应该在哪些阶段采取噪声对策。右图是相对于设计/开发、评估、量产的时间轴,采取噪声对策的灵活性(即可以采取的对策的选项多少)以及对策所需成本的示意图。纵轴可以理解为越往上越“高”。由图可见,随着开发进程的推进,可使用的噪声对策技术和手段越来越
开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导发射。本文重点介绍传导发射,传导发射可以进一步分为两类:共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM。对共模噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效,反之亦然,因此识别传导发射源可以节省用于噪声抑制的时间和成本。 本文提出了一种实用的方法,用于分离CM和DM排放的LTC7818控制的开关稳压器。了解CM噪声和DM噪声在CE频谱中的位置,电源设计人员可以有效地应用EMI抑制技术,从长远来看,这可以节省设计时间和BOM成本。 图1.降压转换器中
OP-470是一款高性能单片四运算放大器,具有极低的电压噪声,最大1kHz时为5nV/(根)Hz,提供与PMI的行业标准OP27相当的性能。 OP-470的特点是输入偏置电压低于0.4mV,非常适合四运算放大器,偏置漂移低于2微伏/摄氏度,保证在整个军用温度范围内。OP-470的开环增益在10k欧姆负载中超过1000000,即使在高增益应用中,也能确保卓越的增益精度和线性度。输入偏置在25nA以下,减少了由于信号源再稳定引起的误差。OP-470的CMR超过110dB,PSRR小于1.8μV/V
LT®1763 系列是微功率、低噪声、低压差稳压器。这些器件能够提供 500mA 的输出电流和一个 300mV 的压差电压。该系列专为在电池供电型系统中使用而设计,30μA 的低静态电流使其成为一种理想的选择。静态电流处于良好受控状态;与采用其他许多稳压器不同,这系列在降压时的静态电流并不上升。 LT1763 稳压器的一个重要特点是具有低输出噪声。在增设一个外部 0.01μF 旁路电容器的情况下,输出噪声将降至 20μVRMS (在一个 10Hz 至 100kHz 的带宽之内)。LT1763
前存在许多不同的开关稳压器拓扑。有些拓扑应用十分广泛,例如经典的降压型转换器,也称为降压转换器。然而,也有一些少为人知的开关模式 DC-DC 转换器,包括 Zeta 拓扑。这些拓扑分为基本拓扑和扩展拓扑。基本拓扑只使用两个开关、一个电感和两个电容。它们都属于非隔离式开关稳压器;即,未进行电气隔离的开关稳压器。此类拓扑包括降压转换器、升压转换器和反相降压 - 升压拓扑。所有其他拓扑都需要额外的元件。例如,SEPIC 转换器还需要耦合电容和第二电感。除了非隔离式开关稳压器外,还有一些稳压器是通过变
随着电子设备的普及,人们对于电源质量的要求越来越高。Torex LDO(线性稳压器)作为一种常见的电源管理技术,在许多应用中发挥着重要的作用。本文将介绍Torex LDO的工作原理,并分析其在输出噪声和纹波方面的表现。 一、Torex LDO的工作原理 Torex LDO是一种线性稳压器,它通过调整晶体管或电子管等电子元件的电流来控制电压输出。当输入电压变化时,Torex LDO内部的误差放大器会根据设定电压与实际电压的差异来调整调整器的占空比,从而控制输出电压的变化。由于其线性工作特性,To
二三极管是电子设备中常用的基本元件,其性能直接影响整个系统的噪声水平。本文将分析二三极管的噪声来源,并提出一些降低噪声的方法。 一、二三极管的噪声来源 1. 内部散粒噪声:二三极管中的电子在运动过程中,由于碰撞或其他因素,会有一定的散粒噪声产生。 2. 热噪声:由于二三极管内部的热运动,电子在通过PN结时会有一定的热噪声产生。 3. 外部干扰:来自外部的电磁干扰、机械振动等也会影响二三极管的性能,进而产生噪声。 二、降低噪声的方法 1. 选择低噪声的二三极管:在选择二三极管时,应优先考虑具有低
标题:低噪声放大器:Hittite低噪声放大器技术特点和应用 低噪声放大器(LNA)是无线通信系统的关键组件,用于提升信号质量并降低背景噪音。Hittite哈迪特,一家全球知名的专业模拟和混合信号半导体公司,提供了多种高性能的低噪声放大器产品。 一、技术特点 Hittite的低噪声放大器(LNAs)以其出色的性能和技术特点而闻名。首先,这些LNAs具有出色的噪音性能,可以在各种无线通信频段提供优秀的信号质量。其次,它们具有宽的频率范围,可以适应各种无线通信标准,如2G,3G,4G,5G,Wi-
一、概述 MOS管,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是现代电子工业中重要的基础元件。它具有体积小、重量轻、工作电压范围宽、安全可靠等特点,广泛应用于各类电子设备中。然而,MOS管在工作过程中,往往会受到各种噪声干扰,影响其性能的发挥。因此,了解MOS管的噪声性能并采取相应的抑制方法至关重要。 二、MOS管的噪声性能 1. 内部噪声:MOS管的内部结构决定了其存在内部噪声。这种噪声主要来源于其内部的电子和空穴的流动,以及栅极电荷的不均匀分布。 2. 外部噪声:MOS管的工作环境中的电磁干扰、电源
• 全新高度集成、超低功耗的AS7058,支持精密PPG应用、心电图和皮肤电活动测量; • AS7058 AFE引入了身体阻抗测量功能,支持可穿戴设备对身体成分进行分析; • 专为智能手表、智能指环、智能手环等可穿戴设备设计。 据麦姆斯咨询报道,全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(瑞士证券交易所股票代码:AMS)近日宣布,推出超低噪声模拟前端(AFE)传感器——AS7058,该产品不仅延长了智能手表、智能指环和其他可穿戴设备的电池寿命,同时提高了从光电容积描记(PPG)或电信号中获取的生